华太Huatai

华太Huatai

      华太RF产品线覆盖移动通信基站、手持通信、航空航天、工业设备与仪器等多种应用,构成了从低频(30MHz)到高频(6GHz),从低功率(0.1W)到高功率(1000W),从低电压(3.6V)到高电压(50V),效率高,可靠性好的较为完整的产品线,可以满足大部分雷达、通信基站、航天航空、工业设备与仪器等领域的应用需要。

           

产品详情

通信基站
       华太RF LDMOS产品广泛应用于移动通信基站、直放站行业领域,打破了国外公司功率管的垄断地位,提升了我国通信领域核心产品竞争力和产业链的完整性和安全性。 华太研发的GSM 900MHz 140W 产品、TDD-LTE 1880MHz-2025MHz 120W、700MHz-2700MHz 10W等产品已经在国际一线通信设备公司量产,性能与国际同行相当,实现了通信基站领域RF LDMOS的国产化突破。        
AD9375数字预失真+华太(HTN7G21P160H)测试报告已发布在ADI官网,请点击

Part   Num.Freq
(MHz)

VDD

(V)

P1dB

(dBm)

Gain

(dB)

Pavg
(dBm)
Test  Freq
(MHz)
目标应用PackageProcess
HTA50P31800-500052529142600宽带驱动,5G微站,天线系统QFN3×3GaAs
HTN8G38S004P700-3800283619252600便携设备,5G微站DFN3×3LDMOS
HTN7G38S007P700-3800283814.2283400便携设备,5G微站PDFN5×5
   
LDMOS
HTN8G27S015P700-2700284120302600便携设备,5G微站DFN5×5LDMOS
HTN8G36S015P3300-4200284117303500便携设备,5G微站DFN5×5LDMOS
HTN8G27S020P700-2700284417342600MDAS,5G驱动TO270LDMOS
HTN8G27P040P2500-270028462037260064T MIMO,5G驱动DFN7.5×5LDMOS
HTH1D27P120H2500-27004851(P3)1641.4260032T MIMODFN7×6.5GaN
HTH1D36P120H3400-36004851(P3)1441.4350032T MIMODFN7×6.5GaN
HTH8G09P550H700-8214857.4(P5)2249.377860W基站H2110S-4LLDMOS
HTH8G09P350H700-8214855.7(P3)2247.377830W/40W基站H2110S-4LLDMOS
HTH1D27P450H2500-27004856.5(P5)1547.4260030W/40W基站H2110S-4LGaN
HTH1D36P450H3400-36004856.2(P5)1447.4350030W/40W基站H2110S-4LGaN
HTN7G27S010P700-2700284119.1312140MDAS,直放站驱动PDFN6×5LDMOS
HTN7G27S020PG700~2700284414.1342655MDAS,直放站驱动TO270-ALDMOS
HTN7G21S040P/PG700-2100284616.1361840直放站28V/北斗12VTO270-ALDMOS
HTN7G09S060P700~960284921.839940GSM干放,专网TO270LDMOS
HTN7G09S120P700~960285022.140.5881电子围栏,直放站TO270LDMOS
HTH7G14S150H1.8~14005051.521.542860广播,直放站H0906LDMOS
HTN7G21P160H1805~2170285216.744.81960电子围栏,光纤直放站H2110S-6LLDMOS
HTN7G21S160H1805~2170285217.3421840电子围栏,光纤直放站H2110S-6LLDMOS
HTN7G15P180H1300~15002852.519451457专网,军用H2110S-4LLDMOS

 

5G小基站-MMIC

Part   Num.

Freq

(MHz)

VDD

 (V)

DE

(%)

Gain 

(dB)

Pavg 

(dBm)

Test Freq  

(MHz)

目标应用PackageProcess
H8G0708M06P728-82128451927.5775宽带驱动,5G小基站LGA7×7LDMOS
H8G0810M06P869-96028451927.5915宽带驱动,5G小基站LGA7×7LDMOS
H8G1819M10P1805-1880284328311840宽带驱动,5G小基站LGA7×7LDMOS
H8G1920M10P1880-2025284328311950宽带驱动,5G小基站LGA7×7LDMOS
H8G2022M10P2110-2170284327312140宽带驱动,5G小基站LGA7×7LDMOS
H8G2324M10P2300-2400284127312350宽带驱动,5G小基站LGA7×7LDMOS
H8G2527M10P2500-2700284026312595宽带驱动,5G小基站LGA7×7LDMOS
H8G3336M12P3300-3600283533323450宽带驱动,5G小基站LGA7×7LDMOS
H8G3638M12P3600-3800283333323700宽带驱动,5G小基站LGA7×7LDMOS
H9G4850M12P4800-5000283030314900宽带驱动,5G小基站LGA7×7LDMOS



移动无线电

        华太公司充分利用在大功率、高频率RF LDMOS产品积累的技术优势,开拓了应用于移动无线电产品的RF LDMOS产品,包括应用于5W,2W手持对讲机的RF LDMOS末级和驱动芯片,以及应用于车载台、海事台等专业领域的RF LDMOS芯片。

Part   Num.Min. Freq(MHz)Max. Freq (MHz)

VDD

(V)

DE  (%)

Gain

(dB)

Psat

(W)

目标应用PackageProcess
HTU7G06S0P5P10010003.6/7.270/7310/140.7/1.50.5W机,5W/10W机推动SOT89LDMOS
HTU7G06S0P6P10010003.6/7.267/6710/140.7/1.52W/5W机推动SOT23LDMOS
HTU7G06S001P10010003.6/7.265/6510/141.3/3.21W机SOT89LDMOS
HTU7G06S002P10010003.661142.62W机SOT89LDMOS
HTL7G06S006P10010007.2611365W机SOT89LDMOS
HTU7G06S009P10010007.2/8.460128/97W模拟机,4W数字机SOT89LDMOS
HTL7G06S004P10010003.6601243W机PDFN3×3LDMOS
HTL7G06S005P10010003.6651153W机PDFN5×5LDMOS
HTU7G06S007P10010003.665107单电池5W机PDFN5×5LDMOS
HTL7G06S011P10010003.6/7.260/6010/125/11单电池3W/双电池10W机PDFN5×5LDMOS
HTM7G06S035P100100012.5611538车台,军工电台,应急广播TO-270LDMOS

 

ISM&工业科学医疗
       华太完整高效的RF LDMOS设计开发团队,掌握了众多核心技术,并深度整合了供应链上下游,能够为工业、科学、医疗行业客户的特殊应用开发具有针对性的RF LDMOS产品,满足各类特殊的应用需求。
Part Num.

Freq

(MHz)

VDD

(V)

DE

(%)

Gain 

(dB)

P1dB

(W)

Test Freq

(MHz)

目标应用PackageProcess
HT647PL30-5122867.923.3200CW@450专网,军用H2110S-4LLDMOS
HT647P600-1500285919.7200CW@1350专网,军用H2110S-4LLDMOS
HTH7G14S150H1.8~1400505621.5158Pulse@860广播,直放站H0906LDMOS
HTH7G06P300H1.8-600506420.8430(P3dB)Pulse@435广播,雷达,通信H2110S-4LLDMOS
HT20340S1.8-300508028400(P3dB)CW@ 40射频能量,工业TO247LDMOS
HTH7G06P500H1.8-600506024.6588(P3dB) Pulse@435广播,雷达,通信H2110S-4LLDMOS
HTH8G07P800H470-700504718800DVB-T广播H3210-4LLDMOS
HTH8G07P1K0H470-7005048181000DVB-T广播H3210-4LLDMOS
HTH8G03P1K8H1.8-2005072281800CW@60广播,专网,工业医疗H3210S-4LLDMOS


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